技术编号：12725145
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路，尤其是指具有加强电迁移稳定度的主动原子库的集成电路。背景技术半导体集成电路(IC)利用金属内连线(metallicinterconnect)以连接晶片上的各别元件。关于集成电路技术的持续尺寸缩减主要挑战是金属内连线的电子迁移(electromigration,EM)故障。电子迁移指的是电流感应金属自扩散的现象。简单地说，电子迁移是由于电流之间的动量交换(“电子风”力)造成导体里物质传输的发生。电子迁移促使的物质损耗将导致拉应力的发展，同时累积将导致区块边界上压应力的发展。...
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