技术编号：12725149
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米CMOS集成电路抑制单粒子瞬态(SET，Single-EventTransient)的版图加固技术，特别涉及用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米CMOS版图加固方法。背景技术在宇宙空间中，存在着大量粒子(质子、电子、重离子等)。集成电路受到这些粒子的轰击后，会产生单粒子瞬态。单粒子瞬态对于集成电路的正常工作将产生极大的负面影响。例如，当单粒子瞬态脉冲传播至集成电路内部的存储节点时，有可能诱发单粒子翻转(SEU，Single-EventUpset)。粒子轰击集成电路的线性能量传递(LET...
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