技术编号:12725169
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路,尤其涉及一种具热感测功能的功率金氧半晶体管晶粒以及集成电路。背景技术图1是现有的温度传感器的电路图。请参阅图1。在温度传感器中使用一个双极型接面晶体管(bipolarjunctiontransistor,BJT)组件12(例如NPN或PNP)与电流源14。PN接面会随着不同温度而产生不同电压。比较器16比较所产生的电压与另一个与温度无关的电压(例如当在160℃时,PN接面的电压差为0.4V,且将此0.4V设定为默认值),以便在电压超过0.4V时发出温度保护信号OTP。藉此...
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