技术编号:12725171
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及半导体领域,更具体地涉及半导体器件及其形成方法。背景技术在追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本中,随着半导体工业已经进入到纳米技术工艺节点,来自制造和设计问题的挑战已经导致了诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维设计的发展。类似于平面晶体管,可以在FinFET的源极和漏极区域上形成源极和漏极硅化物。然而,由于FinFET的鳍通常较窄,可能发生电流拥挤。此外,接触插塞很难落在鳍的源极/漏极部分上。因此,使用外延工艺在鳍上形成外延半导体层以增加它们的体积。通常的FinFE...
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