技术编号：12725377
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种高密度存储器元件。特别是一种三维(ThreeDimemsional，3D)存储器元件。背景技术非易失性存储器元件，例如闪存，具有在移除电源时亦不丢失储存于记忆单元中的信息的特性。已广泛运用于用于便携式音乐播放器、移动电话、数码相机等的固态大容量存储应用。为了达到具有更高密度储存容量的需求，目前已经有各种不同结构的三维存储器元件，例如具有单栅极(single-gate)存储单元、双栅极(doublegate)存储单元，和环绕式栅极(surroundinggate)存储单元的三维闪...
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