技术编号:12725414
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能电池技术领域,特别涉及一种P型晶体硅双面电池结构及其制作方法。背景技术P型晶体硅电池由于生产工艺成熟、制造成本低,在目前及今后相当长的一段时间内仍占据绝大部分市场份额。P型晶体硅太阳能电池要想继续保持竞争力、获得更大的发展与应用,必须进一步提高转换效率,同时降低生产成本。PERC技术着眼于电池的背面,利用钝化大大降低了背面的复合速度,该技术近年来在P型晶体硅电池中逐步得到大规模应用,使多晶和单晶电池的效率分别提升0.5%和1%以上。但是PERC技术对电池的正面无显著改善,尤其是电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。