技术编号:12725416
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及图像传感器,尤其涉及一种图像传感器的金属互联层结构及其形成方法。背景技术图像传感器是将光信号转化为电信号的半导体器件,现有的图像传感器根据感光元件及运作机理的不同分为CCD和CMOS两种,CMOS图像传感器由于其高集成度等诸多特性已经广泛应用于智能手机、平板电脑、车载、视频监控领域。CMOS图像传感器包括器件层及位于器件层表面的若干金属层;现有的金属层的形成过程为形成金属层,覆盖金属层的介质层,通过平台化工艺将介质层表面平坦,再在介质层表面形成另一金属层。此类做法的工艺实现较容易,但会...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。