技术编号:12725530
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电子器件领域,具体涉及一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法。背景技术氮化镓基发光二极管(LightEmittingDiode,LED)具有高亮度、低能耗、长寿命、响应速度快及环保等特点,广泛地应用于室内及路灯照明、交通信号以及户外显示、汽车车灯照明、液晶背光源等多个领域。因此,大功率白光LED被认为是21世纪的照明光源。目前商业化的GaN基LED外延结构大都是在蓝宝石衬底上沿[0001]方向(c轴)异质外延。由于蓝宝石衬底和纤锌矿结构GaN在晶格常数、热膨胀系数上存在较大的...
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