技术编号:12725545
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法。背景技术发光二极管(英文:LightEmittingDiode,简称:LED)是一种能够将电能有效转化为光能的半导体器件,目前氮化镓基LED受到越来越多的关注和研究。GaN基LED的外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层(英文:MultipleQuantumWell,简称:MQW)、P型AlGaN层、P型GaN层。当有电流通过时,N型GaN层的电子和P型...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。