技术编号:12725576
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种超结器件;本发明还涉及一种超结器件的制造方法。背景技术超结MOSFET采用新的耐压层结构,利用一系列的交替排列的P型半导体薄层和N型半导体薄层来在截止状态下在较低电压下就将所述P型半导体薄层和N型半导体薄层耗尽,实现电荷相互补偿,从而能够实现体内Resurf,Resurf为降低表面电场,体内Resurf为像降低表面电场一样能降低体内电场,从而使P型半导体薄层和N型半导体薄层在高掺杂浓度下能实现高的击穿电压,从而同时获得低导通电阻和高击穿电压,打破传...
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