技术编号:12725833
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。III族氮化物半导体发光装置及其制造方法技术领域本说明书的技术领域涉及III族氮化物半导体发光装置及其制造方法。背景技术III族氮化物半导体发光装置具有通过电子和空穴复合而发光的发光层、n型半导体层以及p型半导体层。如此在发光层产生光。但是,所产生的光未必会被提取到III族氮化物半导体发光装置的外部。因为其会被III族氮化物半导体发光装置的各部吸收、由III族氮化物半导体发光装置的各部反射。因此,开发出用于从III族氮化物半导体发光装置适当地提取光的技术。例如,专利文献1公开了具有形成有光提取元...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。