技术编号:12727174
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及材料微观结构的观测技术,尤其涉及一种用于观测IGBT芯片Al金属化层剖面微结构的试样制备方法。背景技术目前,在对IGBT模块完成功率循环实验之后时,为了观测和对比实验前后IGBT芯片Al金属化层剖面微结构的演变,需对IGBT芯片进行处理露出芯片剖面以便观测。一般的方法是采用FIB有选择性地进行去除一定厚度的芯片表面材料,从而露出芯片剖面,然而FIB处理试样的成本较高,并且只能够对芯片表面微小区域进行处理,无法观测到芯片整个剖面的情况。发明内容为了改善上述问题,本发明提出了一种用于观测I...
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