技术编号:12728745
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本说明书涉及半导体器件的实施例、电路布置的实施例和控制半导体器件的方法的实施例。特别地,本说明书涉及诸如基于MOS的功率半导体器件的功率半导体器件中的电流测量,例如涉及功率半导体器件中的电容性电流测量。背景技术在机动车、消费者和工业应用中的现代设备的许多功能(诸如,转换电能和驱动电动机或电机)依赖半导体器件。例如,绝缘栅双极晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和二极管(仅举几例)已经用于各种应用,包括但不限于电源和电源转换器中的开关。半导体器件通常被设计成在额定条件下...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。