技术编号:12736468
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于高能物理及天体物理技术领域,涉及一种开合式三维沟槽电极硅探测器。背景技术探测器广泛应用于高能物理、天体物理、航空航天、军事、医学等技术领域,在高能物理及天体物理之中,探测器处于强辐照条件下,因此对探测器本身有严格的要求,要求其具有较强的抗辐照能力,且漏电流以及全耗尽电压不能太大,对于其体积的大小也有不同的要求。传统的“三维沟槽电极硅探测器”有许多的不足之处,首先是在进行电极刻蚀时不能完全的贯穿整个硅体,使得探测器有一部分不能刻蚀,称该部分为“死区”,“死区”部分的电场较弱,电荷分布...
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