技术编号：12736496
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于太阳电池领域，也属于半导体器件领域，涉及硅太阳电池的结构。背景技术晶体硅太阳电池是一类重要的太阳电池，其产量占据了当前太阳电池总产量的大部分份额。随着工艺的进步，目前基于扩散工艺制备的同质结晶体硅太阳电池其光电转换效率逐渐逼近极限。而异质结太阳电池可以充分利用两种不同半导体之间功函数和能带位置的差异，可以在不增加太阳电池内部载流子复合的前提下增强内建电场强度，从而提高太阳电池的光电转换效率。因此，基于异质结的晶体硅太阳电池有望在效率上超越同质结晶体硅电池而成为未来太阳电池的主流。目...
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