技术编号:12736644
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储装置及与非型快闪存储器的编程方法,尤其涉及一种与非(NAND)型快闪存储器及其编程方法。背景技术在NAND型快闪存储器中,通过反复进行数据的编程或擦除,因穿隧绝缘膜的劣化而导致电荷保持特性恶化,或因由穿隧绝缘膜所捕获的电荷而产生阈值变动,从而引起位差错(biterror)。日本专利特开2010-152989号公报中作为此种位差错对策而搭载有差错检测校正(ErrorCheckingCorrection,ECC)电路。另外,日本专利特开2008-165805号公报中,揭示有一...
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