技术编号:12737109
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域,具体涉及一种基于锗材料衬底的MOS晶体管的制备方法。背景技术早在20世纪60年代末,Lepselter和Sze就提出了肖特基势垒MOS场效应晶体管(SchottkyBarrierMOSFET)结构,利用金属或硅化物代替传统的源漏区高掺杂,利用源端载流子的直接隧穿势垒实现导通。随着金属-氧化物-硅场效应晶体管(MOSFET)的尺寸不断缩小,短沟道效应对器件的影响越来越大。对于传统的MOS场效应晶体管,为了抑制短沟道效...
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