技术编号:12737114
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。发明属于半导体技术领域,涉及一种场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管制备方法。背景技术绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种兼具MOS场效应和双极型晶体管复合的新型功率电力器件,它兼具MOSFET器件易于驱动、控制简单、开关速度快的优点,又具有功率晶体管导通压降低,通态电流大,损耗小的优点,在功率开关器件中日益扮演者越来越重要的角色。而该类功率器件在作为开关器件的使用的时候都会反向并联一个续流二极管,因此在IGBT模块化封装中,常常会在IGBT芯片旁边再放置一个续流二极管芯片,以满足使用目的。随着对...
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