技术编号：12737119
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本揭露实施例是有关于一种半导体元件，且特别是有关于一种半导体结构及其制造方法。背景技术于半导体晶圆上制造微型电路元件涉及许多步骤，其中一个步骤为把图案从微影光罩转移到晶圆上。光罩步骤包含蚀刻步骤，且界定后续制程所要暴露于晶圆上的选定区域，后续制程如氧化、金属沉积与不纯物导入。在生产集成电路结构时，由于在结构中电路元件的密度不断增加，结构具有多个层。再者，随着元件与特征的尺寸越来越小，于光罩步骤期间晶圆需要准确地对准微影光罩，以最小化层与层之间的错位。发明内容本揭露提出一种半导体结构，包含：基板、...
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