技术编号:12737150
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种透明介质窗、基片处理腔室和基片处理系统。背景技术在半导体技术领域中,通常需要对基片进行加热,例如,在通过磁控溅射方法在基片上沉积金属薄膜之前,需要先在去气腔室中对基片进行去气(Degas)处理,即将基片加热至一定温度,以去除基片上的水蒸气及其它易挥发杂质,进而提高沉积在基片上的金属薄膜质量。现有技术中的去气腔室的结构如图1所示,去气腔室包括用于放置基片的支撑平台1’、位于去气腔室顶部的加热组件2’(例如排列紧密的内圈灯泡21’和排列稀疏的外圈灯泡22’)、以...
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