技术编号:12737169
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法、电子装置。背景技术随着半导体器件特征尺寸的不断缩减,在层间介电层中形成底部电性连接金属硅化物层的接触塞时,由于形成的接触孔的深宽比很大,导致接触孔的顶部开口的尺寸临近形成接触塞的工艺窗口边际,采用沉积工艺形成接触塞时不能完全填充整个接触孔,容易形成诸如空洞之类的缺陷,造成接触塞的开路。因此,需要提出一种方法,以解决上述问题。发明内容针对现有技术的不足,本发明提供一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上依次...
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