技术编号：12737172
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明各个实施例及其实施方式涉及集成电路，具体地，涉及在半导体衬底内制造结型场效应晶体管(JFET)，适用于双极技术和CMOS技术(BiCMOS)。背景技术JFET晶体管通常在输出处提供较低的电噪声，并且通常具有良好的高压性能。例如，JFET晶体管用于具有高输出阻抗的精密运算放大器的输入级。双极晶体管显示出高增益、高输出阻抗并在高频下提供良好的性能，这使得它们有利地用于例如高频模拟放大器。另一方面，使用CMOS技术制造的MOS晶体管通常显示出高输入阻抗并且尤其在数字电子的逻辑电路中使用时。BiC...
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