技术编号:12737355
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件及其制作方法,特别是涉及一种改良的金属氧化物半导体(MOS)晶体管结构及其制作方法。背景技术已知,应力记忆技术(stressmemorizationtechnique,SMT)已被应用于半导体制作工艺中,以改善N型金属氧化物半导体(NMOS)元件的电性效能,其作法包括在栅极结构上覆盖一具有伸张应力(tensilestress)的应力层,再通过一SMT退火制作工艺,使栅极导电层再结晶,接着移除应力层。在移除应力层之后,应力效应仍能持续影响元件。应力效应能够增进电荷通过通道的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。