技术编号：12737404
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电学领域，涉及一种功能器件，具体来说是一种高灵敏度半导体纳米紫外光探测器的制备方法。背景技术紫外光探测器具有结构简单、体积小、重量轻、工作环境要求低、无电磁波辐射、抗干扰能力强等优点，广泛应用于通信、预警、导航、传感、环境检测及气体探测分析等领域，具有较大的应用价值。传统的光电倍增管型紫外光探测器，具有较低的暗电流和较高的响应度，但操作电压较高，器件体积较大且造价较高；Si基光电二极管型紫外光探测器，体积小，制作成本也较低，但Si材料禁带宽度较小，对可见光和红外有较高响应，必须附加滤波...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。