技术编号:12741907
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过蚀刻和塌缩沉积管制备初级预制品的方法。另外,本发明涉及由此获得的初级预制品和由其获得的最终预制品和光纤。背景技术本发明涉及光纤领域。更具体地,其涉及通过使氧化硅的层沉积在基体上的化学气相沉积法(CVD)制造光纤的领域;化学气相沉积法的实例为改良式化学气相沉积法(MDVD),等离子体增强的化学气相沉积法(PECVD或PCVD)和外部气相沉积法(OVD)。光纤的制造工艺通常包括以下四个步骤。然而,可以存在其它步骤。在第一步骤中,使中空管(也称为基管)进行内部气相沉积工艺,从而获得沉积管...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。