技术编号:12749687
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种载流子存储型IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)。背景技术能源消耗日益增大,特别是电力的需求矛盾日趋尖锐,大力发展新型电力电子器件已成为一项重要课题。IGBT是目前发展最快的一种混合型电力电子器件,它具有MOS输入、双极输出功能的MOS、双极相结合的特性,既有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高、开关损耗小的优点,又具有双极功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强...
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