技术编号：12749693
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容涉及场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统。背景技术场效应晶体管(FET)是基于如下原理控制源电极和漏电极之间的电流的晶体管：向栅电极施加电场以利用沟道的电场在电子或空穴的流中提供闸门(栅，gate)。FET依靠它们的特性已被用作例如开关元件(切换元件)和放大元件。与双极晶体管相比，FET在栅电流方面是低的并具有平的结构，且因而可被容易地制造和集成。由于这些原因，FET是在现有的电子装置中使用的集成电路中的必要元件。FET已被应用于例如有源矩阵显示器作为薄膜晶体管(TFT)。近年...
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