技术编号:12759175
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及熔体籽晶法单晶生长炉设备领域,尤其涉及一种泡生法蓝宝石晶体生长炉侧面保温结构。背景技术蓝宝石晶体(俗称刚玉),具有高熔点、高硬度、导热性好、从真空、紫外、可见、近红外一直到中红外均有高的光学透过率。普遍应用于蓝光半导体二极管LED和二极管LD的衬底材料,几乎遍及所有衬底领域。目前蓝宝石的生长方法主要有提拉法(CZ),导模法(EFG),泡生法(KY),热交换法(HEM)等。其中泡生法是世界上公认的最适合生长大尺寸蓝宝石单晶的主流方法之一,整个晶体的生长在2000℃以上的高温下进行,能...
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