技术编号:12770924
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储单元结构以及用于提供用于嵌入有逻辑电路的非易失性存储单元结构并且与先进半导体制造工艺可兼容的方法。背景技术用于电子电路并且尤其用于在半导体工艺中被制造为集成电路的电子电路的当前一般要求是存储器存储元件的阵列。这些元件可以设置为非易失性存储(NVM)单元。在传统NVM结构中,可以使用FLASH存储器。然而,例如,除了用于逻辑电路的先进半导体工艺之外,FLASH存储器的使用还要求半导体工艺步骤。FLASH单元要求昂贵的工艺步骤。最近,已经开发出逻辑可兼容NVM单元。这些逻辑可兼...
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