技术编号：12772535
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种发光二极管的外延片。背景技术LED(LightEmittingDiode，发光二极管)具有体积小、寿命长、功耗低等优点，目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。LED的核心结构是外延片，GaN基外延片主要包括蓝宝石衬底、低温缓冲层、成核层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层。在实现本实用新型的过程中，实用新型人发现现有技术至少存在以下问题：低温缓冲层、成核层、高温缓冲层均为非掺杂结构，当电流作用于LED芯片时，底层的电流扩展较差，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。