技术编号:12779519
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于处理衬底的衬底处理设备,并且可以在可操作以沉积薄膜的等离子体增强化学气相沉积处理设备中找到特定用途。背景技术衬底处理设备用于通过包括蚀刻、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强原子层沉积(PEALD)、脉冲沉积层(PDL)、等离子体增强脉冲沉积层(PEPDL)和抗蚀剂去除的技术处理衬底,诸如半导体、玻璃或聚合物衬底。衬底处理设备的一种类型是等离子体处理设备,其包括含有上电极和下电极的反应室,其中在电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。