技术编号:12779521
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种成膜装置:在真空容器内使旋转台旋转,使旋转台上的基板依次通过原料气体的供给区域、与原料发生反应的反应气体的供给区域,从而在基板上成膜。背景技术作为在半导体晶圆等基板(以下,称为“晶圆”)上形成氧化硅膜(SiO2)等薄膜的方法,已知有所谓的ALD(AtomicLayerDeposition,原子层沉积)法。作为实施该ALD法的装置,已知有这样的装置:使配置在真空容器内的旋转台上的多个晶圆利用旋转台进行公转,依次通过供给原料气体的区域、供给与原料气体发生反应的反应气体的区域。在旋转台上...
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