技术编号:12779524
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学气相沉积用设备技术领域,尤其涉及一种硅外延反应腔用梯形基座。背景技术桶式反应腔(如图1所示)中硅片贴附在梯形基座表面,硅片中心位置与边缘位置距钟罩距离不同,中心位置远,边缘位置近,造成硅片左右位置接触气流面积大,形成边缘生长速率比中心快,所以在相同工艺条件下,边缘厚度比中心厚度厚。厚度作为外延层质量重要控制参数,直接影响到电特性、VDMOS导通电阻、肖特基二极管正向压降等关键参数一致性。发明内容本发明所要解决的技术问题是提供一种硅外延反应腔用梯形基座附属挂件,通过使用具有所述基座的...
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