技术编号:12789345
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体硅片的研磨方法,具体涉及金属离子的控制,属于单晶硅的加工领域。背景技术随着半导体器件的快速发展,对单晶硅片的要求越来越高。由于晶片的主面是描绘器件的图案的面,因此必须极力避免晶片主面的伤痕或污染。在硅片整个生产过程中引入元件间的痕量杂质元素可能使芯片的合格率降低。特定污染问题可导致半导体器件不同的缺陷,例如过度金属与重金属(Fe,Cr,Ni,Cu等)可使元件的寿命缩短,或者使元件工作的暗电流增大。作为半导体器件的原材料,硅表面的金属离子将直接影响器件加工的合格率。硅片研磨的目...
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