技术编号：12792505
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种五(二甲氨基)钽合成方法技术领域本发明涉及材料生产领域，尤其涉及一种电子工业用钽化合物生产原料五(二甲氨基)钽C10H30N5Ta的合成方法。背景技术氮化钽(TaN)薄膜具有电阻率低、熔点高、晶格和晶界扩散的激活能高、热稳定性高等一系列优异的性能，因此在微电子芯片和制造工艺中的应用比较广泛。譬如，在标准CMOS后道的铜互连技术中,氮化钽薄膜常作为铜的扩散阻挡层来应用；在45nm以下CMOS工艺中,氮化钽与高介电常数栅介质之间具有良好高温化学稳定性,因此被用作金属栅极材料；在极紫外光刻工艺中,...
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