技术编号：12796992
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。悬空p-n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法技术领域本发明属于信息材料与器件领域，涉及一种悬空p-n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备技术。背景技术LED即发光二极管，是一种将电能转化为光能的电子器件；光电探测器即光电二极管，能够把光信号转化为电信号；二者核心部分均为PN结。氮化物材料特别是GaN材料，具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好，是一种理想的短波长发光器件材料。生长在高阻硅衬底上的氮化物材料，利用深硅刻蚀技术能够解决硅衬底与氮化物材料的剥离问题，实现悬...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。