技术编号:12797057
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种太阳能电池光电吸收转换层的制备方法。背景技术铜铟镓硒薄膜太阳能电池是一种高效薄膜太阳能电池,该太阳能电池的光电吸收转换层是由铜、铟、镓和硒四种元素组成的化合物半导体薄膜,现有制备该太阳能电池光电吸收转换层的方法有共蒸发法和溅射后硒化法两种方式。共蒸发法制备铜铟镓硒化合物半导体薄膜的方法是:将铜、铟、镓、硒四种固体物质分别放置在各自独立的蒸发源内,各自独立的蒸发源被分别加热到能够使放置在其中的固体物质融化成液体的温度之上,其中放置铜的蒸发源需要加热至1300℃到1400℃,放置铟的蒸...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。