技术编号:12806847
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子刻蚀技术领域,具体涉及一种限制等离子体和射频泄露的接地环及其反应腔。背景技术在对基片进行等离子刻蚀的过程中,我们希望将等离子体及射频能量限制在有限的刻蚀反应区域内,以提高能效、避免等离子体泄露对腔体造成腐蚀、以及减少对电学信号造成的干扰。现有技术中,在反应腔内对等离子体向下的束缚是由一等离子体限制环来实现的,但考虑到等离子体限制环金属面上绝缘层(目前为氧化钇)的加工局限和老化问题,该限制环目前是不接地的悬浮电位,也因此其对等离子体的束缚仅仅起到了物理尺寸上对平均自由程的限制,并无...
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