技术编号:12806889
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种消除轻掺退火硅片表面COP的方法,属于集成电路技术领域。背景技术硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料,一般是通过拉晶、切片、磨片、腐蚀、退火、抛光、清洗等工艺过程做成的集成电路级半导体硅片。其中,硅片退火的研究已开展多年,其中硅片退火过程中的气氛中加入氢气的研究近年来也深入进行,直拉硅抛光片的表面质量和氧沉淀对集成电路成品率的影响很大。无论在硅片生产还是在集成电路制造中,硅片都要经过高温退火。因此,高温退火对硅片表面质量和氧沉淀影响的研究显得十分重要。在硅片生产工厂中产品表面晶...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。