技术编号：12806891
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种改善硅片表面微缺陷的方法，属于集成电路技术领域。背景技术硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料，一般通过拉晶、切片、磨片、腐蚀、退火、抛光、清洗等工艺过程做成的集成电路级半导体硅片。随着超大规模集成电路的发展，200mm/300mm硅单晶衬底已成为当前集成电路的主流，对单晶硅片表面质量的要求也越来越高，表面微粗糙度是表征硅片表面质量的两个重要参数，表面微粗糙度不仅跟单晶相关，而且也取决于硅片抛光、清洗、退火等后道加工工艺。微粗糙度是硅片表面在纳米尺度范围内的微起伏，一般用其平均值...
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