技术编号：12807161
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明构思涉及制造半导体器件的方法。背景技术为了集成电路应用中更高的密度，制造工艺已经发展以减小诸如晶体管的栅电极和源/漏电极的电路元件的最小特征尺寸。因为特征尺寸已经减小，所以电路元件之间的距离也减小，因此根据制造工艺的工艺变化会出现电路元件之间的电短路。发明内容根据本发明构思的一示例实施方式，一种制造半导体器件的方法被提供如下。有源鳍结构和隔离区域被形成在衬底上。外延层被形成在有源鳍结构上。第一金属栅电极被形成在有源鳍结构上。每个第一金属栅电极和每个外延层在有源鳍结构上在第一方向上被交替布置...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。