技术编号:12807165
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制作半导体元件的方法,尤其是涉及一种去除栅极结构上的硬掩模层并同时于基底表面形成一保护层的方法。背景技术为了能增加半导体结构的载流子迁移率,可以选择对于栅极通道施加压缩应力或是伸张应力。举例来说,若需要施加的是压缩应力,现有技术常利用选择性外延成长(selectiveepitaxialgrowth,SEG)技术于一硅基底内形成晶格排列与该硅基底相同的外延结构,例如硅锗(silicongermanium,SiGe)外延结构。利用硅锗外延结构的晶格常数(latticeconstant)...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。