技术编号:12807185
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种功率晶体管,还涉及一种功率晶体管的制造方法。背景技术现代电子电路由于使用环境和使用条件的特殊性,对功率半导体器件的可靠性要求越来越高。功率半导体器件(功率VDMOS、功率IGBT等)由于使用的需要,常常接在感性负载电路中。在器件关断时,感性负载上的电感能够产生负载电路所加电源电压两倍大小的电压,加在器件的漏源极之间,使器件的漏源极之间承受很大的电流冲击。当漏极电压增加且无法被夹断时器件就进入雪崩区,此时的漏-体二极管将产生电流载流子,所有的漏极电流(雪崩电...
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