技术编号:12807197
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示器件的结构及其制备领域,尤其涉及一种非对称薄膜晶体管结构及其制备方法。背景技术薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,简称TFT),其半导体衬底上的半导体层通常包括源极区和漏极区及在源极区和漏极区之间的沟道区,在沟道区的上方制备有栅极结构,在薄膜晶体管的栅极上施加一导通电压,使得源极与漏极之间导通。但是,薄膜晶体管在关态模式下当有横向电场Vds时会在漏极区与沟道区接壤的区域产生漏电流,而且随着横向电场的增大,漏电流增加,当漏电流增大到一定程度将给薄膜晶体管带来一定的性能影...
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