技术编号:12807273
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种存储器结构及其制造方法,且特别是有关于一种可变电阻式存储器(Resistiverandom-accessmemory,ReRAM)结构及其制造方法。背景技术存储器元件,例如非易失性存储器元件,一般是设计为,当存储器元件失去或移除电源后仍能保存数据状态的完整性。目前业界已有许多不同型态的非易失性存储器元件被提出。不过相关业者仍不断研发新的设计或是结合现有技术,进行存储单元平面的叠层以达到具有更高储存容量的存储器元件的结构。例如已有一些三维叠层与非门(NAND)型闪存结构被提出。可...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。