技术编号:12821466
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力电子领域,特别是涉及IGBT的结温平滑方法。背景技术近年来,随着应用在新能源发电、电动汽车等非平稳工况下的电力电子装置的大量投运,电力电子装置的可靠性问题日益突出,可靠性问题成为当下电力电子学科的研究热点之一。IGBT是电力电子装置的核心组成部分,对电力电子装置的安全可靠运行起着举足轻重的作用。Coffin-Manson、Bayerer等主流的IGBT寿命模型表明IGBT老化失效的主要原因是结温波动造成的热应力冲击,由于IGBT芯片各层封装材料的热膨胀系数不一致,温度波动会引起各层...
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