技术编号：12823631
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光刻领域，特别涉及一种掩膜台光栅尺测量系统及测量方法。背景技术纳米测量技术是纳米加工、纳米操控、纳米材料等领域的基础。IC产业、精密机械、微机电系统等都需要高分辨率、高精度的位移传感器，以达到纳米精度定位。随着集成电路朝大规模、高集成度的方向飞跃发展，光刻机的套刻精度要求也越来越高，与之相应地，获取工件台、掩膜台的六自由度位置信息的精度也随之提高。干涉仪有较高的测量精度，可达纳米量级，在光刻系统中，被运用于测量工件台、掩膜台的位置。然而，目前干涉仪的测量精度已达到极限，同时干涉仪...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。