技术编号：12823648
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种实现更小线宽的光刻工艺。背景技术集成电路技术的发展就是对物理极限的不断挑战，对于光刻工艺来说，光刻机的发展从G-line(G线光刻)，365nmI-line(I线光刻)，248nmDUV(深紫外光刻)，到193nmArF准分子光刻和浸式光刻，再到EUV(极紫外光刻)，引领线宽尺寸的不断缩小。随之而来的是光刻机成本的不断上涨，导致光刻研发成本成倍提高。对于如何延长光刻机的工艺寿命，使其能形成更小的线宽，是对光刻工艺的挑战。通常来说，深紫外光刻机的分辨率极限在...
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