技术编号:12824594
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子设备技术领域,特别是涉及一种快速备份LSB页的方法、一种快速备份LSB页的装置和一种闪存系统。背景技术对于MLC(Multi-LevelCell,2位/存储单元)NAND闪存(闪存的一种,内部采用非线性宏单元模式)、TLC(TrinaryLevelCell,3位/存储单元)NAND闪存、QLC(QuadLevelCell,4位/存储单元)NAND闪存等多层式存储单元NAND闪存,1个基础存储单元能够表示两页中的对应数据位,即LSB(LeastSignificantBit,最低有效位...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。