技术编号：12826233
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种碳化硅管沉积装置。背景技术目前，含锂的半导体在温度高于800℃时都有锂的挥发，致使生长单晶体用石英管内壁发生严重腐蚀，甚至石英管破裂；还有现有石墨坩埚含有大量的孔隙导致表面粗糙不利于生长单晶体，而通过采用在石英管内壁和石墨坩埚表面镀热解炭可以解决上述问题；另外，在一些实验中，需要在样品上镀上炭膜，为后续实验防止腐蚀，提高耐磨性、导电性、反光性及增进美观等作用；还有一些应用如炭膜电阻器，是采用高温真空镀膜技术将碳紧密附在瓷棒表面形成炭膜，然后加适当接头切割，并在其表面涂上环氧树脂...
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